ศูนย์วิจัยผลึก (Center for Crystal Researches) มหาวิทยาลัยซุนยัตเซ็นประสบความสำเร็จในการพัฒนาแท่งซิลิกอนคาร์ไบด์ เส้นผ่านศูนย์กลาง 6 นิ้ว ในเดือนกรกฎาคม เทคโนโลยี ดังกล่าวได้ถูกถ่ายโอนไปยัง Taiwan Applied Crystal Co., Ltd. และมีการลงนามข้อตกลงการถ่ายโอนเทคโนโลยีต่อเนื่องระยะเวลา 5 ปี มูลค่า 50 ล้านเหรียญไต้หวันในเดือนกรกฎาคมปีนี้ เป็นการเสริมความเข้มแข็งอุตสาหกรรมวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ของไต้หวัน

     ม. ซุนยัตเซ็นแถลงข่าวในวันที่ 19 กรกฎาคม 2023 ว่าโลกกำลังเผชิญกับปัญหาการขาดแคลนเวเฟอร์ชิปในอีกหลายปีข้างหน้า ในขณะเดียวกันผู้ที่พัฒนาวัสดุซิลิกอนประสิทธิภาพสูงได้รวดเร็วและมีความเสถียรจะเป็นกุญแจสำคัญของความสำเร็จ Center for Crystal Researches  ของมหาวิทยาลัยซุนยัตเซ็นเป็นห้องปฏิบัติการแห่งเดียวในไต้หวันที่ประสบความสำเร็จในการผลิตซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ซึ่งเป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไป ประสบความสำเร็จในการปลูกผลึก SiC ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 6 นิ้ว

     ศ. โจวหมิงฉี (周明奇) ภาควิชาวัสดุศาสตร์และวิทยาศาสตร์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์และผู้อำนวยการ Center for Crystal Researches แห่งมหาวิทยาลัยซุนยัตเซ็นกล่าวว่า ในกระบวนการวิจัยและพัฒนาได้รับความร่วมมือจากบริษัทที่มีการความเชี่ยวชาญของบริษัทในไต้หวัน เช่น China Steel และ China Steel  Chemical Corp. ช่วยกันยกระดับอุตสาหกรรมไต้หวันในด้านวัสดุฉนวนกราไฟท์, เบ้าเคลือบ (Crucible) และ เตาปลูกผลึก (Crystal Growth Furnace)

     ศ. โจวหมิงฉี  เน้นย้ำว่าผลึกซิลิกอนคาร์ไบด์ วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ประเภทที่สาม (รุ่นถัดไป) เป็นวัสดุเชิงกลยุทธ์ที่สำคัญของไต้หวัน ซึ่งสามารถนำไปประยุกต์ใช้ในยานยนต์ไฟฟ้า ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ การสื่อสารผ่านดาวเทียม การป้องกันประเทศ ชีวเวชศาสตร์ และสาขาอื่นๆ ทีมงานของมหาวิทยาลัยซุนยัตเซ็นเป็นหน่วยงานแรกในด้านวิชาการและการวิจัยของไต้หวัน ได้สร้างความก้าวหน้าครั้งสำคัญในด้านการปลูกผลึก ประสบความสำเร็จในการพัฒนาผลึกเดี่ยวชนิดนำไฟฟ้าขนาด(n-type) 6 นิ้ว 4H ซิลิคอนคาร์ไบด์ และยังคงปรับปรุงให้ดีขึ้นในแง่ของความเสถียรของคุณภาพ ตลอดจนความเร็วในการเพาะให้เติบโต