ม.เฉิงกงพัฒนาวัสดุนำไฟฟ้า ทนทานต่อการสึกหรอ และมีเอนโทรปีสูง

   ม.แห่งชาติเฉิงกง(National Cheng Kung University) ได้แถลงในวันที่ 4 กรกฏาคม ว่า ศ.ซือเฉวียนฟง(施權峰) ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้าของ ม.เฉิงกงได้จัดตั้งทีมวิจัยเอนโทรปีสูง ซึ่งประกอบด้วย ศ.หลิวฮ่าวจื้อ,ศ.สวี่เหวินตง ภาควิชาวัสดุ และ ศ.หยางเฉิงซาน สถาบันออปโตอิเล็กทรอนิกส์ ม.แห่งชาติไต้หวัน และนักศึกษาระดับปริญญาเอก เยี่ยเจิ้งเสียน ม. เฉิงกง ประสบความสำเร็จในการพัฒนาวัสดุเอนโทรปีสูงที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าและทนทานต่อการสึกหรอ ผลความสำเร็จนี้ได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร Nature Communications ซึ่งเป็นวารสารทรงอิทธิพลของอังกฤษ

   ม.เฉิงกง ชี้ว่าวัสดุเอนโทรปีสูงประกอบด้วยองค์ประกอบหลักหลายอย่างรวมกันในสภาวะที่ใกล้เคียงกัน เป็นวิทยาการสาขาวัสดุศาสตร์ที่ได้รับความสนใจมากในช่วงไม่กี่ปีนี้ การผสมผสานที่หลากหลายขององค์ประกอบได้ทำลายข้อจำกัดแบบดั้งเดิม ทำให้ตารางธาตุมีการเปลี่ยนแปลง และเป็นนวัตกรรมเพิ่มทางเลือกในการใช้วัสดุ

   ทีมวิจัยเริ่มต้นจากหลักวิชาการด้านOptics กลศาสตร์ ไฟฟ้า และวัสดุศาสตร์เชิงคำนวณ นำเสนอว่าวัสดุเอนโทรปีสูงสามารถออกแบบการนำไฟฟ้าผ่านการผสมผสานองค์ประกอบเชิงเส้น และพิสูจน์ว่าการส่งผ่านอิเล็กตรอนมีความสัมพันธ์กับมวลของอิเล็กตรอน และความถี่พลาสมาเกี่ยวข้องกับการล่าช้าของเวลา นี่คือการค้นพบที่สำคัญในด้านวัสดุเอนโทรปีสูง นับจากนี้การออกแบบวัสดุเอนโทรปีสูงจะมีขอบเขตกว้างขึ้นในอนาคต

   ศ.ซือเฉวียนฟง ชี้ว่าการวิจัยนี้เป็นผลมาจากความร่วมมือข้ามสาขาและมีส่วนสนับสนุนที่สำคัญต่อทฤษฎีกลไกการนำไฟฟ้าของโลหะผสมที่มีเอนโทรปีสูง โดยจะขยายการใช้งานไปยังเซมิคอนดักเตอร์ ตัวเชื่อมต่อ การสื่อสาร และอุตสาหกรรมอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้อง ถือเป็นการยกระดับขีดจำกัดของการใช้งานให้สูงขึ้น

   ศ.หยางเฉิงซาน ชี้ให้เห็นว่าการวิจัยในอดีตเกี่ยวกับโลหะผสมเอนโทรปีสูงมุ่งเน้นไปที่คุณสมบัติทางกลศาสตร์ แต่การวิจัยเกี่ยวกับคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้าสามารถขยายไปยังสาขาเซมิคอนดักเตอร์ได้ ด้วยการคำนวณจำลอง พัฒนารูปแบบจำลองคุณสมบัติแสงและคุณสมบัติไฟฟ้าของวัสดุเอนโทรปีสูง จะช่วยเร่งการพัฒนาโลหะผสมเอนโทรปีสูงประยุกต์ใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ให้ก้าวหน้าขึ้นได้