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Die neuesten Ergebnisse von ASML zeigen, dass EUV-Aufträge nach wie vor das Gesprächsthema Nummer eins sind, während High-NA allmählich in den Routineberichten auftaucht. ZEISS treibt mit AIMS EUV 3.0 den Durchsatz bei der Qualifizierung von aktinischen Masken voran, und die Japan-Pläne von TSMC deuten darauf hin, dass sich der Einsatz modernster EUV-Technologie weiter ausbreiten könnte. Das Thema dieser Woche ist einfach: Der schnellste Feedback-Kreislauf gewinnt.

Die wichtigsten Erkenntnisse:

- ASML meldete für das vierte Quartal 2025 Nettobestellungen in Höhe von 13,2 Mrd. Euro, darunter 7,4 Mrd. Euro für EUV, und gab bekannt, dass es Einnahmen für zwei High-NA-Systeme verbucht hat.

- ASML prognostizierte für 2026 einen Gesamtnettoumsatz von 34 bis 39 Mrd. Euro, was auf eine anhaltende Nachfrage nach Werkzeugen hindeutet.

- ASML kündigte an, den Technologie- und IT-Bereich zu straffen; Reuters berichtete, dass der Plan den Abbau von etwa 1.700 Arbeitsplätzen vorsehen könnte.

- ZEISS gab bekannt, dass AIMS EUV 3.0 weltweit eingesetzt wird und im Vergleich zur Vorgängergeneration einen dreifachen Maskendurchsatz bietet.

- ZEISS hob Digital FlexIllu hervor, mit dem die Scannerbeleuchtung für Low-NA-EUV- und High-NA-Workflows auf einem System emuliert werden kann.

- Reuters berichtete, dass TSMC plant, 3-nm-Chips in Kumamoto, Japan, in Serie zu produzieren; lokale Medien nannten eine Investition von etwa 17 Mrd. USD, während TSMC diese Zahl nicht bestätigte.

- Seien Sie vorsichtig mit KI-generierten Investorenkommentaren zum japanischen Chip-Vorstoß; überprüfen Sie Behauptungen anhand von Primärquellen und wichtigen Nachrichtenagenturen.

- Die NanoIC-Pilotlinie von Imec veröffentlichte A14-Logik- und eDRAM-Pathfinding-PDKs, um eine frühere gemeinsame Optimierung von Design und Technologie über 2 nm hinaus zu unterstützen.

- MarketsandMarkets (über PR Newswire) prognostiziert für die EUV-Lithografie ein Wachstum von 15,84 Mrd. US-Dollar (2026) auf 30,36 Mrd. US-Dollar bis 2032.

- Unklar/öffentlich begrenzt: Die Zeitpläne für die Einführung von High-NA und die Budgets für die Druckbarkeit von Maskenfehlern werden meist nicht offengelegt.

Glossar:

EUV-Lithografie – Extrem-Ultraviolett-Lithografie unter Verwendung von ~13,5 nm Licht zur Strukturierung fortschrittlicher Halbleitermerkmale.

High-NA – EUV mit hoher numerischer Apertur (0,55 NA-Klasse), die eine höhere Auflösung als 0,33 NA EUV-Systeme ermöglicht.

Numerische Apertur – Optischer Parameter, der die Auflösung und die Tiefenschärfe festlegt; eine höhere NA erhöht die Auflösung, verringert jedoch die Prozessmargen.

Aktinische Maskenqualifizierung – Maskeninspektion/-verifizierung im Belichtungswellenlängenbereich zur Bewertung der Druckbarkeit von Defekten unter scannerähnlichen Bedingungen.

AIMS – Aerial Image Measurement System (Luftbildmesssystem); aktinisches Werkzeug zur Bewertung der Druckbarkeit von EUV-Maskenfehlern und der Scanneranpassung.

Scanner-Anpassung – Ausrichtung der Maskenqualifizierungsbedingungen an der Scanneroptik und -beleuchtung, um das Druckverhalten des Wafers vorherzusagen.

Beleuchtung – Die räumliche/winklige Verteilung des bei der Belichtung verwendeten Lichts; beeinflusst die Bildgebung, das Prozessfenster und die Druckbarkeit von Defekten.

Overlay – Ausrichtungsgenauigkeit zwischen strukturierten Schichten; wird mit abnehmendem Pitch und abnehmender Tiefenschärfe schwieriger.

PDK – Process Design Kit; eine Reihe von Designregeln, Gerätemodellen und Abläufen, die das Chipdesign für eine bestimmte Prozesstechnologie ermöglichen.