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Diese Folge betrachtet EUV nicht als isolierte Scanner-Geschichte, sondern als Teil eines breiteren Fertigungssystems. Südkoreas Cluster-Pläne, Microns Rekordquartal, die geplante US-Notierung von SK Hynix, der niederländische Widerstand gegen Exportkontrollen, ASMLs Photonik-Arbeit mit TNO und xLights Ambitionen bei Lichtquellen zeigen dieselbe Richtung: Künftige Lithografiekapazität wird wie strategische Infrastruktur finanziert und gesteuert.
Wichtige Erkenntnisse:
- Südkorea bereitet einen neuen Halbleiter-Hub im Südwesten vor; lokalen Berichten zufolge könnten die Investitionen über mehrere Jahre mehr als 1.000 Billionen Won erreichen.
- Das erwartete südkoreanische Unterstützungspaket ist stark infrastrukturorientiert: Strom, Wasser, Land, Ausbildung, Verkehr und Wohnraum sind für EUV-fähige Kapazität entscheidend.
- Micron meldete für das dritte Geschäftsquartal einen Rekordumsatz von 41,46 Milliarden US-Dollar und sagte, dass der Rechenzentrumsumsatz im Quartal über 25 Milliarden US-Dollar lag.
- Micron hat 16 strategische Kundenvereinbarungen unterzeichnet und erwartet, dass die Knappheit bei Speicher über das Kalenderjahr 2027 hinaus anhält.
- Micron erwartet für das Geschäftsjahr 2026 Investitionsausgaben von rund 27 Milliarden US-Dollar und im Geschäftsjahr 2027 höhere Quartalsinvestitionen, wobei Bauinvestitionen mehr als die Hälfte des Jahresanstiegs ausmachen sollen.
- SK Hynix plant, über eine US-Notierung von American Depositary Receipts bis zu 45,45 Billionen Won beziehungsweise etwa 29,4 Milliarden US-Dollar aufzunehmen.
- Niederländische Vertreter wehren sich gegen den MATCH Act, weil er Verbündete zu US-ähnlichen China-Exportkontrollen zwingen und DUV-Serviceleistungen beeinflussen könnte.
- ASML und TNO werden DUV- und I-Line-Lithografie in einer neuen Pilotlinie in Eindhoven für Indiumphosphid-Photonikchips auf Sechs-Zoll-Wafern einsetzen.
- Die xLight-Meldung über eine Finanzierungsrunde von 350 Millionen US-Dollar ist bislang berichtet, aber nicht offiziell angekündigt; der offizielle Anker ist die US-CHIPS-Act-Förderung vom 2. Juni.
- Der Fokus dieser Woche liegt auf einer Mischflotten-Sicht der Lithografie: EUV trägt die dichtesten Schichten, aber DUV trägt weiterhin einen großen Teil von Skalierung, Ausbeute, Zuverlässigkeit und Kosten.
Glossar:
Extreme Ultraviolet (EUV) — Lithografie mit Licht von 13,5 Nanometern für die kritischsten Schichten in fortgeschrittener Logik und Speicherfertigung.
High Numerical Aperture (High-NA) — Nächste Generation der EUV-Optik mit höherem Auflösungspotenzial, aber höheren Kosten und größerer Integrationskomplexität.
Deep Ultraviolet (DUV) — Lithografie mit längeren Wellenlängen wie 193 Nanometern und 248 Nanometern, weiterhin essenziell für viele Schichten fortgeschrittener Knoten.
Dynamic Random-Access Memory (DRAM) — Flüchtiger Speicher für Server, PCs, Mobilgeräte und High-Bandwidth-Memory-Stacks.
High Bandwidth Memory (HBM) — Gestapelter DRAM, optimiert für sehr hohe Datenbandbreite nahe an KI-Beschleunigern und Grafikprozessoren.
American Depositary Receipt (ADR) — In den USA gehandeltes Zertifikat, das Aktien eines ausländischen Unternehmens repräsentiert.
Free-electron laser — Lichtquelle auf Basis beschleunigter Elektronen; xLight entwickelt diesen Ansatz als alternative EUV-Quelle.
Indium phosphide (InP) — Verbindungshalbleiter für aktive photonische Funktionen wie Laser und Modulatoren.
Strategic customer agreement — Längerfristige kommerzielle Vereinbarung zur Verbesserung von Versorgungssichtbarkeit, Preisbeständigkeit oder Kapazitätsbindung.
