Willkommen bei EUV im Fokus

Diese Woche beleuchten wir erneut die Halbleiter Branche und aktuelle Entwicklungen im Bereich EUV Lithografie.

Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. KI kann Fehler machen. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Ihre Entscheidungsfindung verwenden möchten.

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Der Integrierte Schaltkreis (IC), auch Microchip genannt, ist eine kompakte Einheit elektronischer Schaltungen (Transistoren, Widerstände), die auf einem dünnen Halbleiterstück, meist Silizium, gefertigt wird. ICs sind viel kleiner, schneller und kosteneffizienter als diskrete Baugruppen und revolutionierten die moderne Technologie. Die Entwicklung begann 1958 mit Jack Kilby, der das erste funktionierende Beispiel demonstrierte. Robert Noyce entwickelte 1959 den ersten praktischen monolithischen Silizium-IC. Heutige Chips nutzen Very-Large-Scale Integration (VLSI) und enthalten Milliarden von Transistoren.

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Der CO2-Laser, erfunden im Jahr 1964, zählt zu den nützlichsten und leistungsstärksten kontinuierlichen Gaslasern und strahlt im Infrarotbereich (Wellenlängen um 9,6 und 10,6 µm). Er wird traditionell in der Industrie zum Schneiden, Schweißen und Gravieren sowie in der Chirurgie für Weichgewebe eingesetzt.

Aktuell spielt der CO2-Laser eine entscheidende Rolle in der EUV-Lithografie zur Fertigung modernster Mikrochips. Der TRUMPF Laser Amplifier ist ein gepulstes CO2-Lasersystem, das 50.000 Zinntropfen pro Sekunde in einer Vakuumkammer beschießt. Dieser Prozess erzeugt ein intensives Plasma, welches die Extrem Ultraviolett-Strahlung (EUV) mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern emittiert. Komponenten wie das High Power Seed Module (HPSM) sind dabei essenziell, um die Pulse optimal zu formen und die kommerzielle Nutzbarkeit der EUV-Technologie sicherzustellen.

ASML zeichnete TRUMPF kürzlich für einen neuen EUV-Hochenergielaser aus, der ab 2026 in Serie gehen soll und zur Steigerung der Verfügbarkeit, Leistung sowie zur Reduzierung des Energieverbrauchs beiträgt.

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In dieser Podcast-Episode sprechen wir über die Numerische Apertur (NA) in der EUV-Lithografie – den vielleicht wichtigsten Hebel für Auflösung und Strukturgröße auf modernen Chips. Wir erklären, was NA physikalisch bedeutet, wie sie Auflösung und Tiefenschärfe beeinflusst und warum der Sprung von „Low-NA“ zu „High-NA“ ein Gamechanger für künftige Technologieknoten ist. Außerdem beleuchten wir, welche Auswirkungen höhere NA auf Scanner-Design, Prozessfenster und Kosten pro Wafer hat – und warum das die Strategien von Herstellern wie ASML, Intel und TSMC direkt mitbestimmt.

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Willkommen bei EUV im Fokus. Diese Woche beleuchten wir erneut die Halbleiter Branche und aktuelle Entwicklungen im Bereich EUV Lithografie. Die KI treibt den Halbleiter-Boom an. ASML meldete 7,5 Mrd. € Umsatz im 3. Quartal 2025, unterstützt durch 3,6 Mrd. € EUV-Bestellungen. Das Hauptthema: High-NA EUV erreicht die Fertigung. SK hynix und ASML installierten das erste kommerzielle Twinscan NXE:5200B für Next-Gen-DRAM in Südkorea. High-NA ermöglicht 8nm-Auflösung und ersetzt mehrfaches Patterning, obwohl die Scanner extrem kapitalintensiv sind (über 300 Mio. USD). Samsung investiert ebenfalls in High-NA EUV für die 2nm-Fertigung

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Die EUV-Lithografie (EUVL) ist die Schlüsseltechnologie zur Fortsetzung der Chip-Miniaturisierung. Sie verwendet extrem kurzwelliges Licht (13,5 nm) zur Belichtung feinster Strukturen. Dieses hochentwickelte Verfahren ist das Ergebnis einer engen Kooperation zwischen ASML (Systeme), ZEISS (Optik) und TRUMPF (Laser). TRUMPF-Hochleistungslaser erzeugen 50.000-mal pro Sekunde Plasma aus Zinntropfen, welches das EUV-Licht emittiert. Da EUV-Strahlung von Luft absorbiert wird, läuft der gesamte Prozess im Vakuum mit Hilfe ultrapräziser Multilayer-Spiegel. ASML ist der einzige Hersteller und ermöglicht die Fertigung für 3 nm-Knoten. Zukünftige High-NA-Systeme (0,55 NA) sollen 2 nm-Knoten realisieren. Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Ihre Entscheidungsfindung verwenden möchten.

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