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In dieser Woche geht es um EUV-Produktivität: ASMLs Kilowatt-Meilenstein bei der Lichtquelle und prozessseitige Stellhebel, die mehr Photonen in mehr Wafer-Ausstoß übersetzen können. Außerdem ordnen wir ein, warum KI-getriebene Nachfrage EUV auf dem kritischen Pfad hält, und wie ASML sein Portfolio „jenseits von EUV“ für die Chiplet-Ära positioniert.

Kernaussagen

- ASML berichtet, eine 1.000-Watt-EUV-Quelle unter kundenrepräsentativen Anforderungen demonstriert zu haben, gegenüber rund 600 Watt heute.

- ASML verknüpft die höhere Quellleistung mit einem Produktivitätspfad von ~220 Wafer pro Stunde heute auf ~330 Wafer pro Stunde bis 2030.

- ASML-Technologen beschrieben einen Weg über 1.000 Watt hinaus und nannten ~1.500 Watt als „klaren“ Pfad sowie „keinen grundsätzlichen Grund“, 2.000 Watt nicht erreichen zu können.

- imec meldet 15–20% höhere Photo-Speed bei Metalloxid-Resists, wenn der Sauerstoffanteil beim Post-Exposure-Bake von 21% auf 50% steigt, was eine Dosisreduktion ermöglicht.

- Dosisreduktion und Quellleistungs-Skalierung sind komplementäre Hebel: Fabs können die Gewinne für höheren Durchsatz oder für Yield-/Prozessmargen nutzen.

- ASMLs Jahresbericht 2025 nennt €32,7 Mrd. Umsatz, 52,8% Bruttomarge, €4,7 Mrd. F&E-Ausgaben sowie 48 verkaufte EUV-Systeme (von insgesamt 535 Systemen).

- ASML sagte Reuters, das Portfolio „jenseits von EUV“ auszubauen, inklusive Interesse an Advanced Packaging, 3D-Integrationstools und potenziell größerem Chip-Printing.

- Metas mehrjähriges Abkommen mit AMD, mit bis zu 6 GW AMD-Instinct-GPUs als Rahmen, zeigt, wie Hyperscaler-KI-Buildouts den Druck auf Leading-Edge- und Memory-Kapazitäten hoch halten können.

Glossar

Extreme Ultraviolet (EUV) — 13,5-nm-Lithografie für die fortschrittlichsten Chip-Strukturen.

Wafer pro Stunde (WPH) — Durchsatzkennzahl eines Scanners, wie viele Wafer pro Stunde verarbeitet werden.

Laser-produced plasma (LPP) — EUV-Lichterzeugung über Laserplasma aus Zinntröpfchen.

Carbon dioxide (CO₂) laser — Hochleistungslaser, der in EUV-Quellen das Plasma antreibt.

Post-exposure bake (PEB) — Temperaturschritt nach der Belichtung, der die Resistchemie und Endmaße beeinflusst.

Metal-oxide resist (MOR) — Resistklasse für EUV mit hoher Auflösung und geringer Rauheit.

Pellicle — Dünne Membran zum Schutz der Maske vor Kontamination während der Belichtung.

Advanced packaging — Technologien zur Verbindung mehrerer Dies (Chiplets) über dichte Bonding-/Interconnect-Strukturen.

Belichtungsdosis — Eingebrachte Energie in den Resist; niedrigere Dosis kann den Durchsatz erhöhen, wenn andere Limits es zulassen.