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In dieser Woche geht es darum, wie sich die Nachfrage nach EUV nicht mehr nur in Roadmaps, sondern in klaren Kapitalentscheidungen zeigt. Die wichtigsten Punkte sind der Scanner-Auftrag von SK hynix im Wert von fast 8 Milliarden US-Dollar, die Installation des High-NA-EUV-Systems bei imec in Leuven und die Art, wie Partnerschaften rund um KI-Speicher und Foundry-Kapazitäten die Lithografie-Nachfrage neu formen. Der größere Punkt ist: Die knappe Ressource ist nicht mehr nur die Maschine. Knapp ist der frühe Zugang zur gesamten Lernkurve rund um diese Maschine.

Kernaussagen

- SK hynix hat einen Kauf von EUV-Scannern bei ASML Korea im Wert von 11,95 Billionen Won offengelegt; die Abwicklung soll bis zum 31. Dezember 2027 erfolgen.

- imec hat in Leuven ein ASML EXE:5200 High-NA-EUV-System erhalten und rechnet mit der vollständigen Qualifizierung bis Q4 2026.

- Das imec-System soll die NanoIC-Pilotlinie unterstützen und verschafft Partnern im Ökosystem gemeinsamen Zugang zu frühem High-NA-Prozesslernen.

- Samsung und AMD erklärten, dass sie sich bei der primären HBM4-Versorgung für AMDs Instinct MI455X abstimmen und zudem eine künftige Foundry-Partnerschaft prüfen wollen.

- Micron hat seine Investitionspläne für das Geschäftsjahr 2026 um 5 Milliarden US-Dollar auf mehr als 25 Milliarden US-Dollar erhöht; für 2027 werden weitere Steigerungen erwartet.

- Micron hat mit der Nachrüstung des Tongluo-P5-Standorts in Taiwan begonnen, plant dort bis Ende des Geschäftsjahres 2026 einen zweiten Reinraum und erwartet nennenswerte Auslieferungen aus dem bestehenden Werk im Geschäftsjahr 2028.

- Broadcom sagte, dass TSMC-Kapazität bis 2027 zum Engpass wird; das stützt die These früherer Kapazitätsreservierungen entlang der KI-Lieferkette.

- Europas Hebel bei EUV bleibt systemisch: Scanner-Integration, Optik, Quellentechnologie und gemeinsame Prozessentwicklung in Pilotlinien.

Glossar

Extreme Ultraviolet (EUV) lithography — Lithografietechnologie für Chips, die Licht mit 13,5 Nanometern Wellenlänge nutzt, um sehr kleine Strukturen zu belichten.

High Numerical Aperture (High-NA) EUV — Die nächste EUV-Generation mit höherer numerischer Apertur für feinere Strukturen und weniger Mehrfachbelichtungsschritte.

EXE:5200 — ASMLs High-NA-EUV-Plattform, die derzeit an ausgewählten Early-Access-Standorten installiert wird.

High Bandwidth Memory 4 (HBM4) — Eine gestapelte Speichertechnologie für KI-Beschleuniger, die sehr hohe Bandbreite und Energieeffizienz benötigt.

Pilot line — Eine gemeinsame Entwicklungsumgebung, in der Prozesse, Materialien und Integration vor der Hochvolumenfertigung validiert werden.

Cost per wafer — Die effektiven Fertigungskosten pro Wafer, beeinflusst durch Durchsatz, Verfügbarkeit, Ausbeute und Prozesskomplexität.

Overlay — Die Genauigkeit, mit der eine Lithografieschicht zu bereits vorhandenen Schichten auf dem Wafer ausgerichtet wird.

Laser-produced plasma (LPP) source — Das EUV-Lichtquellenprinzip, bei dem Laser auf Zinntropfen treffen, um Strahlung mit 13,5 Nanometern zu erzeugen.