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Die Episode dieser Woche ist ein Light-Week-Update und konzentriert sich darauf, was die neuesten Fabrik- und Finanzierungssignale über die Extreme-Ultraviolet-Lithografie aussagen. Die wichtigste Entwicklung ist kein spektakulärer neuer Scanner-Meilenstein, sondern die Ausbreitung von EUV auf mehr Standorte, mehr Produktklassen und mehr vorab gebundenes Kapital. Die Japan-Genehmigung für TSMC, Intels kommerzieller 18A-Start und der Finanzierungsschritt von SK hynix zeigen in dieselbe Richtung: EUV wird immer mehr zu einem Problem der operativen Replizierbarkeit.

Wichtige Erkenntnisse

- Taiwan hat TSMCs Plan genehmigt, 3-nm-Fertigung in die zweite Kumamoto-Fab zu bringen; die Installation der Anlagen und die Massenproduktion sind für 2028 vorgesehen.

- Lokale Berichte verknüpfen den genehmigten 3-nm-Plan in Kumamoto mit einer Kapazität von rund 15.000 12-Zoll-Wafern pro Monat.

- Intel sagte, Core Ultra Series 3 mit vPro sei die erste kommerzielle PC-Plattform auf Basis von Intel 18A und solle mehr als 125 Designs unterstützen.

- SK hynix hat vertraulich Unterlagen für ein U.S.-Listing eingereicht, das laut Quelle etwa 9,6 bis 14,4 Milliarden US-Dollar einbringen könnte, und ergänzt damit den Finanzierungsteil seines jüngsten EUV-Kapazitätsausbaus.

- ASML erklärte im Geschäftsbericht 2025, dass der EUV-Umsatz 2026 aufgrund der Nachfrage aus Advanced Logic und DRAM deutlich steigen dürfte.

- Dies war eine ruhige Woche für neue EUV-Datenpunkte: In den vergangenen sieben Tagen gab es von ASML, Samsung, Micron oder Rapidus keine größeren neuen offiziellen Angaben zu High-NA-Erträgen, Uptime oder Auslieferungen.

Glossar

Extreme Ultraviolet (EUV) lithography — Eine Strukturierungstechnologie für Chips, die 13,5-Nanometer-Licht für fortgeschrittene Halbleiterschichten verwendet.

High Numerical Aperture (High-NA) EUV — Die nächste EUV-Plattformgeneration, die mit einer größeren numerischen Apertur eine höhere Auflösung erreicht.

3nm — Eine führende Logik-Prozessklasse, die EUV auf kritischen Schichten nutzt, auch wenn die Bezeichnung keiner wörtlichen Strukturgröße entspricht.

Intel 18A — Intels Fertigungsknoten im Angström-Zeitalter mit RibbonFET-Transistoren und Rückseiten-Stromversorgung.

Dynamic Random-Access Memory (DRAM) — Flüchtiger Standardspeicher für Server, PCs und Mobilgeräte sowie die Basistechnologie für HBM-Stacks.

High Bandwidth Memory (HBM) — Gestapelter Speicher, der sehr hohe Datenraten für Künstliche-Intelligenz- und Hochleistungsbeschleuniger liefert.

12-inch wafer — Das 300-Millimeter-Siliziumwafer-Format für moderne High-Volume-Fertigung fortgeschrittener Chips.