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Diese Woche gab es nur wenige neue Scanner-Liefermeldungen, aber starke Signale bei Roadmaps und Wirtschaftlichkeit. Das zentrale Thema ist Koexistenz: DUV, Low-NA-EUV, High-NA-EUV und Advanced Packaging werden eher zu komplementären Werkzeugen als zu klar aufeinanderfolgenden Ersatztechnologien. Die Folge betrachtet TSMCs A16-Zeitplan, Samsungs Rekordergebnisse im Chipgeschäft, den KI-Investitionsdruck der Big-Tech-Unternehmen und warum ASMLs Low-NA-Arbeitspferd weiterhin wichtig bleibt.

Wichtige Erkenntnisse:

- TSMCs A16 wird als 2026 produktionsbereit beschrieben, die Volumenproduktion ist aber nun auf 2027 ausgerichtet, weil der Zeitplan von Kundenrampen abhängt.

- TSMCs A12- und A13-Roadmap bis 2029 kommt weiterhin ohne High-NA-EUV aus und stützt eine Strategie, die Fähigkeiten heutiger Low-NA-EUV-Systeme weiter auszureizen.

- TrendForce interpretiert TSMCs High-NA-Aufschub eher als Stärke der Low-NA-Plattform und nicht als kurzfristigen Einbruch der EUV-Nachfrage.

- ASMLs kurzfristige EUV-Ökonomie hängt weiter stark an Low-NA-Ausstoß und Upgrades, darunter mindestens 60 Low-NA-EUV-Systeme 2026 und ein Pfad zu etwa 80 Systemen 2027.

- Samsung meldete im ersten Quartal 133,9 Billionen KRW Umsatz und 57,2 Billionen KRW operativen Gewinn; die Device-Solutions-Sparte steuerte 53,7 Billionen KRW operativen Gewinn bei.

- Samsung erklärte, mit Massenproduktverkäufen von HBM4 und SOCAMM2 für NVIDIAs Vera-Rubin-Plattform begonnen zu haben, und plant erste HBM4E-Muster im zweiten Quartal 2026.

- Reuters Breakingviews berichtete, dass Alphabet, Amazon, Meta und Microsoft in diesem Jahr bis zu 725 Milliarden US-Dollar investieren könnten, während Alphabet angab, dass Cloud-Umsatz durch Prozessorengpässe begrenzt war.

- TSMCs SoIC-Roadmap zeigt einen Weg von 6 Mikrometern Hybrid-Bonding-Pitch im Jahr 2025 zu 4,5 Mikrometern im Jahr 2029 und macht Packaging zu einem zentralen Teil der Skalierungsantwort.

- In dieser Woche gab es keine große neue offizielle ASML-Scanner-Liefermeldung; die Folge fokussiert deshalb Roadmap-Timing, Kundenadoption und Kosten-pro-gutem-Die-Logik.

Glossar:

EUV — Extreme-Ultraviolett-Lithografie, die 13,5-Nanometer-Belichtungstechnologie für kritischste Schichten fortschrittlicher Chips.

Low-NA-EUV — Heutige EUV-Generation mit einem optischen System von 0,33 numerischer Apertur.

High-NA-EUV — Nächste EUV-Generation mit 0,55 numerischer Apertur für feinere Musterung ausgewählter kritischer Schichten.

DUV — Deep-Ultraviolett-Lithografie, die auch in fortschrittlichen Chips weiterhin für viele Schichten genutzt wird.

A16 — TSMCs daten­zentren­orientierte Node-Familie mit Super-Power-Rail-Backside-Stromversorgung.

Backside Power Delivery — Ansatz, bei dem Stromleitungen auf die Rückseite des Wafers verlagert werden, um Routing und Stromintegrität zu verbessern.

HBM4 — Vierte Generation von High Bandwidth Memory für KI-Beschleuniger und Hochleistungsrechner.

SoIC — TSMCs System-on-Integrated-Chips-Technologie für 3D-Stacking mit Hybrid-Bonding für vertikale Die-zu-Die-Verbindungen.

CoWoS — TSMCs Chip-on-Wafer-on-Substrate-Plattform für große KI- und HPC-Packages.

Kosten pro gutem Die — Herstellungskosten jedes funktionsfähigen Dies nach Einbeziehung von Ausbeute, Zykluszeit, Werkzeugkosten und Prozesskomplexität.