GaN FET在第三代半導體領域一直是重要的話題,但事實上,GaN的耐電壓能力相當有限,與溫度變化也有直接關係,若不甚注意,輕則影響可靠度表現,重則讓元件毀損。所以,好的獨立GaN ET元件,要讓工程師可以放心地設計功率系統需要什麼樣的條件呢?來賓:CGD亞太區陳雪蕙銷售副總裁
本集節目要點:
- 5~600W以下功率系統設計,控制晶片便能直接驅動MOSFET。
- GaN FET整合邏輯電路, 讓GaN FET也能與MOSFET相同,使其便於系統設計。
- 溫度高度影響GaN FET耐受電壓表現,關鍵在於有無整合溫度補償電路。
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