Tech666

EP12. 當GaN FET也能跟MOSFET一樣時,功率設計不再需要小心翼翼 Ft. CGD亞太區陳雪蕙銷售副總裁


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GaN FET在第三代半導體領域一直是重要的話題,但事實上,GaN的耐電壓能力相當有限,與溫度變化也有直接關係,若不甚注意,輕則影響可靠度表現,重則讓元件毀損。所以,好的獨立GaN ET元件,要讓工程師可以放心地設計功率系統需要什麼樣的條件呢?

來賓:CGD亞太區陳雪蕙銷售副總裁

本集節目要點:

  • 5~600W以下功率系統設計,控制晶片便能直接驅動MOSFET。

  • GaN FET整合邏輯電路, 讓GaN FET也能與MOSFET相同,使其便於系統設計。

  • 溫度高度影響GaN FET耐受電壓表現,關鍵在於有無整合溫度補償電路。




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Tech666By IC之音竹科廣播|姚嘉洋主持