作为芯片制造 “电子化学品产业皇冠上的明珠”，光刻胶通过曝光显影实现电路图案转移，其分辨率、灵敏度等性能直接决定晶圆良率与制程突破能力，是半导体产业链自主可控的关键 “卡脖子” 环节。在先进制程中，3nm 制程所需光刻胶层数达 140 层，较 28nm 制程（30 层）增长 3.7 倍，进一步凸显其核心价值。