「「ダイヤモンドパワー半導体」実現へ…MOSFET、電気抵抗1ケタ改善に成功」　金沢大学の小林和樹大学院生と徳田規夫教授、産業技術総合研究所の牧野俊晴研究チーム長らは、ダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の電気抵抗を１ケタ下げることに成功した。金属酸化膜とダイヤモンド半導体層の界面を原子レベルで平坦にする。すると電子散乱などが抑えられ電流密度が１２倍に向上した。ダイヤモンドパワー半導体の実現につながる。