「インターフェース速度33％向上…キオクシアと米サンディスクが開発、第10世代NANDの性能」　キオクシアと米サンディスクは２０日、第１０世代のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー技術を開発したと発表した。現在量産する第８世代に比べインターフェース速度を３３％向上、消費電力も減らした。また、メモリーの積層数は３３２層まで増やし、ビット密度を高めた。将来的に高速かつ低消費電力、大容量が求められるＡＩ（人工知能）向けのメモリー需要に応える。量産開始の時期は未定。