
Sign up to save your podcasts
Or


半導體先進製程,未來將進入到3奈米以下的環繞閘極(GAA)結構,台積電、英特爾、三星都已經宣布未來的2奈米製程已經確定會使用環繞閘極(GAA)結構,不過要將GAA的良率提高非常困難。
By 曲博5
44 ratings
半導體先進製程,未來將進入到3奈米以下的環繞閘極(GAA)結構,台積電、英特爾、三星都已經宣布未來的2奈米製程已經確定會使用環繞閘極(GAA)結構,不過要將GAA的良率提高非常困難。

5 Listeners

181 Listeners

156 Listeners

54 Listeners

66 Listeners

62 Listeners

59 Listeners

4 Listeners

43 Listeners

34 Listeners

74 Listeners

12 Listeners

38 Listeners

24 Listeners

0 Listeners